首頁>FQU1N60CTU>規(guī)格書詳情

FQU1N60CTU中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQU1N60CTU
廠商型號

FQU1N60CTU

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 1.0 A, 11.5 廓

文件大小

557.93 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-22 23:00:00

FQU1N60CTU規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 1 A, 600 V, RDS(on) = 11.5 ? (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.5 A

? Low Gate Charge (Typ. 4.8 nC)

? Low Crss (Typ. 3.5 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQU1N60CTU

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
7695
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價
FSC
2016+
TO-251
9438
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
詢價
FSC
2020+
IPAK-3
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
FAIRCILD
22+
IPAKTO251
8000
原裝正品支持實單
詢價
ON/安森美
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
詢價
ON/安森美
22+
SMD
9000
原裝正品
詢價
FAIRCHILD/仙童
2122+
NA
60000
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠十
詢價
安森美
21+
12588
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
詢價
ON/安森美
24+
TO-251-3
56000
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價