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FQU2N60CTU中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQU2N60CTU
廠商型號

FQU2N60CTU

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 600 V, 1.9 A, 4.7 廓

絲印標(biāo)識

FQU2N60C

封裝外殼

I-PAK

文件大小

979.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-3 23:00:00

FQU2N60CTU規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is

produced using ON Semiconductor’s proprietary planar

stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET

technology has been especially tailored to reduce on-state

resistance, and to provide superior switching performance

and high avalanche energy strength. These devices are

suitable for switched mode power supplies, active power

factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A

? Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)

? Low Crss (Typ. 4.3 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQU2N60CTU

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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