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KSMD7N20

200VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMD7N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KSMU7N20L

200VLOGICN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MDD7N20C

N-ChannelMOSFET200V,5.0A,0.69(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MDD7N20CRH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.69Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MDD7N20CRH

N-ChannelMOSFET200V,5.0A,0.69(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MTD7N20D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTD7N20I

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP7N20

N-ChannelPowerMOSFETs,7A,150-200V

N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MTP7N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP7N20

N-ChannelPowerMosfets

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

MTP7N20E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTP7N20E

TMOSPOWERFET7.0AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.70OHMS

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細參數

  • 型號：

    FQU7N20LTU

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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30000
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TO-251
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更多FQU7N20LTU供應商 更新時間2025-1-8 14:50:00

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