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FST6215	文件：116.01 Kbytes Page：3 Pages	60AmpSchottkyBarrierRectifier10to20Volts Features ●Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ●Guardringfortransientprotection ●Lowpowerlosshighefficiency ●Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
FST6215	文件：140.26 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyOringDiode ●SchottkyBarrierRectifier ●Guardringprotection ●Lowforwardvoltage ●2X30Amperesavg. ●125°CJunctiontemperature ●Reverseenergytested ●ROHSCompliant	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST6215	文件：119.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyOringDiode	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST6215L	文件：121.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE60A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
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HM6215	文件：590.44 Kbytes Page：4 Pages	500mALowNoise,HighPSRR,FastTransientResponseLDOwithAdjustable	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM6215	文件：897.55 Kbytes Page：7 Pages	LowConsumptionCurrentHighPSRR500mACMOSLDO	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IRF6215	文件：125.4 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF6215L	文件：178.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRF6215L	文件：193.79 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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