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FK18SM-12

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.54Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FK18SM-12

NchPOWERMOSFETHIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●VDSS................................................................................600V ●rDS(ON)(MAX)..............................................................0.54? ●ID.......................................................................................

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

FK18SM-12

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●VDSS................................................................................600V ●rDS(ON)(MAX)..............................................................0.54? ●ID.......................................................................................

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

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更多FS18SM-12供應(yīng)商 更新時間2025-1-29 17:00:00

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