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FS200R12N3T7分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FS200R12N3T7
廠商型號

FS200R12N3T7

參數(shù)屬性

FS200R12N3T7 包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4

功能描述

EconoPACK?3 module with TRENCHSTOP?IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4

文件大小

456.08 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 16:00:00

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FS200R12N3T7規(guī)格書詳情

FS200R12N3T7屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS200R12N3T7晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Features

? Electrical features

- VCES = 1200 V

- IC nom = 200 A / ICRM = 400 A

- Low VCE,sat

- Overload operation up to 175°C

- TRENCHSTOPTM IGBT7

? Mechanical features

- Integrated NTC temperature sensor

- High power and thermal cycling capability

- Solder contact technology

- Al2O3 substrate with low thermal resistance

- Copper base plate

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FS200R12N3T7BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 描述:

    LOW POWER ECONO AG-ECONO3-4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
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