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FS25R12W1T4

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS25R12W1T4

EasyPACK Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS25R12W1T4_13

EasyPACK Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS25R12W1T4_B11

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS25R12W1T4_B11

EasyPACK Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS25R12W1T4_B11_13

EasyPACK Modul mit Trench

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FS25R12W1T4B11BOMA1

包裝：托盤 封裝/外殼：模塊 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 45A 205W

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FS25R12W1T4BOMA1

包裝：散裝 封裝/外殼：模塊 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 45A 205W

InfineonInfineon Technologies AG

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FS25R12W1T4PBPSA1

包裝：托盤 封裝/外殼：模塊 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MODULE 1200V 45A 205W EASY

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FS25R12W1T4

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 45A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
21+
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563
十年信譽,只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨!
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Infineon(英飛凌)
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INFINEON
21+
N/A
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全新原裝現(xiàn)貨誠信經(jīng)營
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Infineon Technologies
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Infineon(英飛凌)
2023+
AG-EASY1B-1
4550
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INFINEON
23+
IGBT
200
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更多FS25R12W1T4供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 14:19:00

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