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FS50R07N2E4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FS50R07N2E4 |
| 參數(shù)屬性 | FS50R07N2E4 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 650V 70A 190W |
| 功能描述 | EconoPACK2 Modul mit Trench |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
712.48 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-22 17:58:00 |
| 人工找貨 | FS50R07N2E4價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
FS50R07N2E4規(guī)格書詳情
FS50R07N2E4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS50R07N2E4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FS50R07N2E4BOSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列：
EconoPACK? 2
- 包裝：
托盤
- 配置：
全橋反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.95V @ 15V，50A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 125°C
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
模塊
- 描述：
IGBT MODULE 650V 70A 190W
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
原廠封裝 |
1000 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
Infineon |
1844+ |
LQFP |
9852 |
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詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA |
25630 |
原裝正品 |
詢價 | ||
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23+ |
10000 |
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Infineon |
兩年內(nèi) |
NA |
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INFINEON/英飛凌 |
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N/A |
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現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
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INFINEON/英飛凌 |
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NA |
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只做原裝,質(zhì)量保證 |
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INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
NA |
8600 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價 |
