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FS50R12W2T4

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS50R12W2T4

EasyPACK Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS50R12W2T4_13

EasyPACK Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS50R12W2T4_B11

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS50R12W2T4_B11

EasyPACK Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FS50R12W2T4_B11_13

EasyPACK Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

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FS50R12W2T4B11BOMA1

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 83A 335W

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FS50R12W2T4BOMA1

包裝:管件 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 83A 335W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FS50R12W2T4

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 50A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FS50R12W2T4供應(yīng)商 更新時間2024-12-24 8:25:00