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FS650R08A4P2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FS650R08A4P2 |
| 參數(shù)屬性 | FS650R08A4P2 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：HYBRID PACK 1 |
| 功能描述 | HybridPACK? DC6 Module |
| 封裝外殼 | 模塊 |
| 文件大小 |
2.48876 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-2 22:30:00 |
FS650R08A4P2規(guī)格書詳情
FS650R08A4P2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS650R08A4P2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FS650R08A4P2BPSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列：
HybridPACK? DC6
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.35V @ 15V，375A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
是
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
AG-HYBDC6I-1
- 描述：
HYBRID PACK 1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
F3 |
2020+ |
QFP-160 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
F3 |
24+ |
QFP |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
F3 |
23+ |
QFP |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
F3 |
23+ |
MQFP-160 |
4500 |
全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售 |
詢價 | ||
24+ |
QFP |
21 |
詢價 | ||||
F3 |
22+ |
QFP |
1000 |
全新原裝現(xiàn)貨!自家?guī)齑? |
詢價 | ||
原廠 |
23+ |
SOP |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
F3 |
22+ |
QFP |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
詢價 | ||
F3 |
16+ |
QFP |
2500 |
進口原裝現(xiàn)貨/價格優(yōu)勢! |
詢價 | ||
F3 |
23+ |
QFP |
5000 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 |
