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FS900R08A2P2B32BOSA1_分立半導體產品 晶體管-IGBT-模塊-英飛凌

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原廠料號：FS900R08A2P2B32BOSA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1

FS900R08A2P2B32BOSA1是分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/英飛凌生產封裝模塊的FS900R08A2P2B32BOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件，主要用作電子開關，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    fs900r08a2p2b32bosa1

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    FS900R08A2P2B32BOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤

  • 配置：

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.25V @ 15V, 550A

  • 輸入：

    標準

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MODULE PACK2 DRV HYBRID2-1

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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