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FSL110R3中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FSL110R3
廠商型號(hào)

FSL110R3

功能描述

3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

文件大小

58.59 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 23:00:00

FSL110R3規(guī)格書詳情

Features

? 3.5A, 100V, rDS(ON) = 0.600?

? Total Dose

??? - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)

? Single Event

??? - Safe Operating Area Curve for Single Event Effects

??? - SEE Immunity for LET of 36MeV/mg/cm2 with VDS up to 80 of Rated Breakdown and VGS of 10V Off-Bias

? Dose Rate

??? - Typically Survives 3E9 RAD (Si)/s at 80 BVDSS

??? - Typically Survives 2E12 if Current Limited to IDM

? Photo Current

??? - 0.3nA Per-RAD(Si)/s Typically

? Neutron

??? - Maintain Pre-RAD Specifications for 3E13 Neutrons/cm2

??? - Usable to 3E14 Neutrons/cm2

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FSL110R3

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    3.5A, 100V, 0.600 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs

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