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FSPYE234R	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSPYE234R3	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSPYE234R4	文件：79.62 Kbytes Page：8 Pages	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs IntersilStarPowerRadHardMOSFETshavebeenspecificallydevelopedforhighperformanceapplicationsinacommercialormilitaryspaceenvironment.StarPowerMOSFETsofferthesystemdesignerbothextremelylowrDS(ON)andGateChargeallowingthedevelopmentoflowlossPowerSubsystems.Star	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234	文件：29.28 Kbytes Page：4 Pages	DC/DCConverterApplications Features ?LowON-resistance. ?4.0Vdrive. ?Ultrahigh-speedswitching.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
FSS234D	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A,250V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSS234R	文件：45.39 Kbytes Page：8 Pages	6A,250V,0.600Ohm,RadHard,SEGRResistant,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheDiscreteProductsOperationofIntersilCorporationhasdevelopedaseriesofRadiationHardenedMOSFETsspecificallydesignedforcommercialandmilitaryspaceapplications.EnhancedPowerMOSFETimmunitytoSingleEventEffects(SEE),SingleEventGateRupture(SEGR)inparticul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FT234XD	文件：1.20141 Mbytes Page：40 Pages	SinglechipUSBtoasynchronousserialdatatransferinterface	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT234XD	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	TheFT234XDisaUSBtoserialUARTinterfacewithoptimisedpackaging(3mmx3mm12pinDFN)forsmallerPCBdesignsandthefollowingadvancedfeatures	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT234XDR	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	TheFT234XDisaUSBtoserialUARTinterfacewithoptimisedpackaging(3mmx3mm12pinDFN)forsmallerPCBdesignsandthefollowingadvancedfeatures	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI
FT234XD-R	文件：695.44 Kbytes Page：37 Pages	USBtoBASICUARTIC	FTDIFuture Technology Devices International Ltd. 飛特帝亞英商飛特帝亞有限公司	FTDI

詳細(xì)參數(shù)

型號：
FSPYE234R
制造商：
INTERSIL
制造商全稱：
Intersil Corporation
功能描述：
Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	FSQ0165	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FSQ0165R	FSC	2016+	DIP8	6528	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨	詢價(jià)
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深圳市鵬和科技有限公司	FSQ0165R	FSC	24+	DIP8	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)弘電子科技有限公司	FSQ0165R	FAIRCHILD	24+	DIP-8	66800	原廠授權(quán)一級代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	FSQ0165R	FSC	2020+	DIP8	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
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深圳市億智騰科技有限公司	FSQ0165R		24+	DIP-8	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	FSQ0165R	DIP8	21+	FAIRCHILD	47	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FSQ0165R	FAIRCHILD/仙童	23+	DIP8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)

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