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IRF236

8.1Aand6.5A,275Vand250V,0.45and0.68Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs

Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica

Intersil

Intersil Corporation

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更多FW236供應商 更新時間2025-4-25 15:04:00

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