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FXT649	文件：44.56 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES 25VoltVCEO 2Ampscontinuouscurrent Lowsaturationvoltage Ptot=1Watt APPLICATIONS *Motordriver	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT649	文件：38.38 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighPerformanceTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=3A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=25V ●Lowsaturationvoltage ●ComplementarytoFZT749	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FZT649	文件：103.68 Kbytes Page：2 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR Features ?BVCEO>25V ?IC=3AHighContinuousCurrent ?ICM=8APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT649	文件：28.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FZT649	文件：91.57 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHPERFORMANCETRANSISTOR FEATURES 25VoltVCEO 3Ampcontinuouscurrent Lowsaturationvoltage ExcellenthFEspecifiedupto6A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT649	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features ?BVCEO>25V ?IC=3AHighContinuousCurrent ?ICM=8APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT649	文件：143.89 Kbytes Page：5 Pages	NPNLowSaturationTransistor NPNLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3Acontinuous.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FZT649TA	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features ?BVCEO>25V ?IC=3AHighContinuousCurrent ?ICM=8APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FZT649TC	文件：550.99 Kbytes Page：7 Pages	25VNPNHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT223 Features ?BVCEO>25V ?IC=3AHighContinuousCurrent ?ICM=8APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
G649D	文件：928.82 Kbytes Page：11 Pages	LiquidCrystalDisplayModules [SeikoInstrumentsGmbH] DotMatrixLiquidCrystalDisplayModules FEATURES: ?Slim,lightweightandlowpowerconsumption ?Highcontrastandwideviewingangle ?Built-incontrollerforeasyinterfacing ?LCDmoduleswithbuilt-inELorLEDbacklight	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
G649D	文件：1.76303 Mbytes Page：29 Pages	LIQUIDCRYSTALDISPLAYMODULE DotMatrixLiquidCrystalDisplayModules FEATURES: ?Slim,lightweightandlowpowerconsumption ?Highcontrastandwideviewingangle ?Built-incontrollerforeasyinterfacing ?LCDmoduleswithbuilt-inELorLEDbacklight	SIISeiko Instruments Inc 精工愛普生精工愛普生株式會(huì)社	SII
GM649A	文件：478.81 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM649A	文件：482.27 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GSB649A	文件：545.64 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSB649A	文件：549.18 Kbytes Page：3 Pages	TheGSB649Aisdesignedforfrequencypoweramplifier	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
H649A	文件：32.57 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithHSD669A. AbsoluteMaximumRatings(Ta=25°C) ?MaximumTemperatures StorageTemperature............................................................................................-55~+150°C JunctionTempera	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HI649A	文件：27.15 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHI649Aisdesignedforlowfrequencypoweramplifier.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HJ649A	文件：27.58 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHJ649Aisdesignedforlowfrequencypoweramplifier.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HMC649	文件：307.78 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC649	文件：221.12 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC6-BITDIGITALPHASESHIFTER,3-6GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FXT649
功能描述：
兩極晶體管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
瀚佳科技(深圳)有限公司	FXT649	ZETEX	21+		35200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
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上海市鑫鴻達(dá)電子	FXT651SMTA	ZETEX	2022+		850	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
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更多FXT649供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-24 15:43:00

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