FZ1200R12HE4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

FZ1200R12HE4參考圖片

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):FZ1200R12HE4品牌:Infineon/英飛凌

原裝正品

FZ1200R12HE4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Infineon/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝AG-IHMB130-2/模塊的FZ1200R12HE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào):

    FZ1200R12HE4

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng):

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    609.09 kb

  • 資料說(shuō)明:

    IHM-B Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FZ1200R12HE4PHPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    IHM-B

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    單開(kāi)關(guān)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,1200A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類(lèi)型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 1825A

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市振宏微科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    鄧先生

  • 手機(jī):

    13342971551

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83791997

  • 傳真:

    0755-83245078

  • 地址:

    深圳市華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)305棟C02室