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FZ1200R45HL3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FZ1200R45HL3
廠商型號

FZ1200R45HL3

參數(shù)屬性

FZ1200R45HL3 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19

功能描述

IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19

封裝外殼

模塊

文件大小

531.83 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 16:38:00

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FZ1200R45HL3規(guī)格書詳情

FZ1200R45HL3屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FZ1200R45HL3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

Electrical Features

? High DC stability

? High dynamic robustness

? High short-circuit capability

? Low VCEsat

? Trench IGBT 3

? VCEsat with positive temperature coefficient

Mechanical Features

?AlSiC base plate for increased thermal cycling

capability

? Package with CTI > 600

? IHM B housing

? Isolated base plate

? Standard housing

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FZ1200R45HL3S7BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    IHM-B

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    單開關

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,1.2kA

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應商器件封裝:

    AG-IHVB190

  • 描述:

    IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB19

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon/英飛凌
21+
AG-IHVB190-4
6820
只做原裝,質(zhì)量保證
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INFINEON/英飛凌
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原裝正品,歡迎來電咨詢!
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Infineon/英飛凌
2022+
AG-IHVB190-4
48000
只做原裝,原裝,假一罰十
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INFINEON
23+
SOT-143
7000
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Infineon(英飛凌)
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Infineon/英飛凌
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AG-IHVB190-4
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Infineon/英飛凌
2023+
AG-IHVB190-4
6000
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供
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INFINEON/英飛凌
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電子元器件供應原裝現(xiàn)貨. 優(yōu)質(zhì)獨立分銷。原廠核心渠道
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Infineon
23+
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原廠授權一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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