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FZ1200R45HL4

IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode

Features ?Electricalfeatures -VCES=4500V -ICnom=1200A/ICRM=2400A -HighDCstability -Highshort-circuitcapability -Highdynamicrobustness -LowVCE,sat -TrenchIGBT4 -VCE,satwithpositivetemperaturecoefficient ?Mechanicalfeatures -AlSiCbaseplateforincre

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ1200R45HL4_S7

IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode

Features ?Electricalfeatures -VCES=4500V -ICnom=1200A/ICRM=2400A -HighDCstability -Highshort-circuitcapability -Highdynamicrobustness -LowVCE,sat -TrenchIGBT4 -VCE,satwithpositivetemperaturecoefficient ?Mechanicalfeatures -AlSiCbaseplateforincre

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon
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Infineon/英飛凌
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全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成
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更多FZ1200R45HL4供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 11:00:00