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FZ3600R17HE4

IHM-B Modul

ElectricalFeatures ?ExtendedoperatingtemperatureTvjop ?Lowswitchinglosses ?LowVCEsat ?Tvj=150°C MechanicalFeatures ?4kVAC1mininsulation ?PackagewithCTI>400 ?Highcreepageandclearancedistances ?Highpowerdensity ?IHMBhousing ?Copperbaseplate

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ3600R17HE4P

IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ3600R17HE4HOSA2

包裝：散裝 封裝/外殼：模塊 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MODULE 1700V 7200A

InfineonInfineon Technologies AG

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FZ3600R17HE4PHPSA1

包裝：托盤 封裝/外殼：模塊 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MODULE 1700V 7200A

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FZ3600R17HE4

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1700V 3600A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FZ3600R17HE4供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 17:25:00

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