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FZ600R12KE3

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ600R12KE3S

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ600R12KE3_B1

62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FZ600R12KE3HOSA1

包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 900A 2800W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FF600R12KE3

IGBT-Modules

eupec

eupec GmbH

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    FZ600R12KE3

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 600A SINGLE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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IGBT模塊
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原廠授權(quán),一級(jí)代理IGBT模塊,可控硅模塊
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英飛凌
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Infineon(英飛凌)
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AG-62MM-2
4550
全新原裝正品
詢價(jià)
更多FZ600R12KE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-22 8:12:00