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FZ800R12KS4_B2_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.2KA杰順創(chuàng)科技

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  • 廠家型號(hào)：

    FZ800R12KS4_B2

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Infineon/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    A-IHM130-1

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-3 13:28:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：FZ800R12KS4_B2品牌：Infineon/英飛凌

原裝現(xiàn)貨正品

  • 芯片型號(hào)：

    FZ800R12KS4_B2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    EUPEC詳情

  • 廠商全稱：

    eupec GmbH

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    8 頁(yè)

  • 文件大小：

    258.839 kb

  • 資料說(shuō)明：

    High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    FZ800R12KS4_B2

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 1.2KA

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市杰順創(chuàng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    符小姐

  • 手機(jī)：

    13410384382

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83993226

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號(hào)星河世紀(jì)A棟1519R、深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟西中8樓8B16室

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