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FZ900R12KE4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
FZ900R12KE4 |
參數(shù)屬性 | FZ900R12KE4 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 900A 4300W |
功能描述 | 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
1.67605 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-3 20:00:00 |
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FZ900R12KE4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FZ900R12KE4晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
FZ900R12KE4HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列:
C
- 包裝:
散裝
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
單路
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,900A
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
模塊
- 描述:
IGBT MOD 1200V 900A 4300W
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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MODULE |
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