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FZT591分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

FZT591
廠商型號

FZT591
參數(shù)屬性

FZT591 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 40V 1A SOT223-3
功能描述

SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

52.39 Kbytes
頁面數(shù)量

1 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-3-15 20:44:00
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FZT591規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > -60V

? IC = -1A High Continuous Current

? Low Saturation Voltage VCE(sat) < -600mV @ -1A

? Complementary NPN Type: FZT491

? Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

? Power MOSFET & IGBT Gate Driving

? Low Loss Power Switching

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FZT591ATA

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 100mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    300 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-223-3

  • 描述：

    TRANS PNP 40V 1A SOT223-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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