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FZT658分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

FZT658
廠商型號

FZT658

參數(shù)屬性

FZT658 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

功能描述

400V NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223

文件大小

267.28 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-3 22:58:00

FZT658規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > 400V

? IC = 500mA High Continuous Current

? ICM = 1A Peak Pulse Current

? Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 250mV @ 50mA

? hFE > 40 Specified up to 200mA for High Current Gain Hold-Up

? Complementary PNP Type: FZT758

? Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FZT658TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 10mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 200mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    50MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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