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FZT751Q分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

FZT751Q
廠商型號

FZT751Q

參數(shù)屬性

FZT751Q 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

功能描述

60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN SOT223

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

265.27 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-8 23:00:00

FZT751Q規(guī)格書詳情

Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

Features

? BVCEO > -60V

? IC = -3A High Continuous Current

? ICM = -6A Peak Pulse Current

? Low Saturation Voltage VCE(SAT) < -300mV @ -1A

? Complementary NPN Type: FZT651Q

? Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

? PPAP Capable (Note 4)

Applications

? Automotive Lighting

? MOSFET and IGBT Gate Driving

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FZT751QTC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 300mA,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-223-3

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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