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FZT851TA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223

Features ?BVCEO>60V ?IC=6AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=20APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODES

Diodes Incorporated

FZT851TA

60V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR

DIODES

Diodes Incorporated

FZT851TA

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

PAMDiodes Incorporated

龍鼎威

GI851

FastSwitchingPlasticRectifier

FEATURES ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS ??Forusei

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

GI851

FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER

FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Highsurgecurrentcapability ?Fastswitchingforhighefficiency ?Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ?Highforwardcurrentoperation ?Hightemperaturesolderingguaranteed:2

GE

GE Industrial Company

GI851

FastSwitchingPlasticRectifier

FEATURES ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

INA851

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

INA851

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping

1Features ?Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor ?Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping ?Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) ?Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) ?Lowinputbiascurrent:5nA(typ) ?Inputstagenoise

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

INA851

PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier

1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypins –Outputcommon-modecontrol ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

INA851

PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier

1Features ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V ?Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol ?Faster

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

INA851

PGA849Low-Noise,Wide-Bandwidth,PrecisionProgrammableGainInstrumentationAmplifier

1Features ?Differentialtosingle-endedconversion ?Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=?,?,?,1,2,4,8,and16 ?Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) ?Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains –Highslewrate:35V/μs –Settlingtime: 500nsto0.01

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

INA851RGTR

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping

1Features ?Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor ?Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping ?Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) ?Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) ?Lowinputbiascurrent:5nA(typ) ?Inputstagenoise

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

INA851RGTT

INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping

1Features ?Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor ?Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping ?Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) ?Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) ?Lowinputbiascurrent:5nA(typ) ?Inputstagenoise

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

IT851

EmbeddedController

1.Features 8032EmbeddedController ?TwinTurboversion ?1instructionat1machinecycle ?Maximum10MHzforECdomainand8032 ?Instructionsetcompatiblewithstandard8051 LPCBusInterface ?CompatiblewiththeLPCspecificationv1.1 ?SupportsI/Oread/write ?SupportsMemory

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

JE851H

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

JE851HD

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

JE851HDG

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

JE851HDGR

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

JE851HDR

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

JE851HDS

SUBMINIATUREINTERMEDIATEPOWERRELAY

HONGFAHongfa Technology

宏發(fā)電聲廈門宏發(fā)電聲股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FZT851TA

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    375mV @ 300mA，6A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 2A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    130MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-223-3

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 6A SOT223-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Diodes Incorporated
24+
TO-261-4,TO-261AA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
DIODES
17+
SOT223
9700
絕對原裝正品現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
DIODES/美臺
2019+
SOT223
78550
原廠渠道 可含稅出貨
 詢價
ZETEX
24+
SOT-223
2000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
DIODES(美臺)
22+
SOT-223
57
QQ詢價 絕對原裝正品
 詢價
DIODES/美臺
20+
SOT-223
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
DIODES
22+
12000
華南區(qū)總代
 詢價
DIODES/Zetex
2024
SOT-223
17706
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
 詢價
DIODES(美臺)
23+
SOT-223
8498
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
DIODES
23+
SOT-223
68950
原裝/支持-工廠-含稅-拆樣
 詢價
更多FZT851TA供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 14:14:00

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