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FZT869分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

FZT869
廠商型號

FZT869
參數(shù)屬性

FZT869 封裝/外殼為TO-261-4，TO-261AA；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 25V 7A SOT223-3
功能描述

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT
封裝外殼

TO-261-4，TO-261AA
文件大小

39.48 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網
原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-3-13 22:58:00
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FZT869規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > 25V

? IC = 7A High Continuous Collector Current

? ICM = 20A Peak Pulse Current

? Very Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 110mV @ 1A

? RCE(SAT) = 36m? at 5A for a Low Equivalent On-Resistance

? hFE Specified Up to 20A for a High Gain Hold Up

? PTOT = 3W

? Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

產品屬性

  • 產品編號：

    FZT869TC

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    350mV @ 150mA，6.5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    50nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    300 @ 1A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 供應商器件封裝：

    SOT-223-3

  • 描述：

    TRANS NPN 25V 7A SOT223-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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