G04P10HE中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
G04P10HE |
| 功能描述 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | SOT-223 |
| 文件大小 |
622.46 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
| 企業(yè)簡稱 |
GOFORD【谷峰半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-19 11:01:00 |
| 人工找貨 | G04P10HE價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
G04P10HE規(guī)格書詳情
Description
The G04P10HE uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in
a wide variety of applications.
Application
l Power switch
l DC/DC converters
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
谷峰 |
兩年內(nèi) |
NA |
240 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
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