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G05NP06S2中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

G05NP06S2
廠商型號(hào)

G05NP06S2

功能描述

N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G05NP06

封裝外殼

SOP-8Dual

文件大小

1.35291 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-21 10:17:00

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G05NP06S2規(guī)格書詳情

Description

This Product uses advanced trench technology

MOSFETs to provide excellent R

DS(ON) and low gate

charge. The complementary MOSFETs may be used to

form a level shifted high side switch, and for a host of

other applications.

Application

?

Power switch

DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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