G075N06MI中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
G075N06MI |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
文件大小 |
848.13 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
企業(yè)簡稱 |
GOFORD【谷峰半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-3-6 22:59:00 |
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G075N06MI規(guī)格書詳情
Description
The G075N06MI uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in
a wide variety of applications.
Application
l Power switch
l DC/DC converters
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STE(松田) |
23+ |
插件,P=10mm |
8215 |
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GCI |
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SOP |
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22+ |
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