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G080N10M中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G080N10M
廠商型號

G080N10M
功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
文件大小

1.0175 Mbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD【谷峰半導(dǎo)體】

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-28 17:59:00
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G080N10M規(guī)格書詳情

Description

The G080N10M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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