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G1003B中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G1003B
廠商型號

G1003B

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

G1003B

封裝外殼

SOT-23-3

文件大小

780.45 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-3-22 22:59:00

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G1003B規(guī)格書詳情

Description

The G1003B uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
GOFORD
23+
NA/
10150
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價
GOFORD
2012294756
SOT-23-3
3930
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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