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G10N80F中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G10N80F
廠商型號

G10N80F

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

G10N80

封裝外殼

TO-220F

文件大小

878.17 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-17 23:00:00

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G10N80F規(guī)格書詳情

Description

This advanced MOSFET family has optimized on-state

resistance, and also provides superior switching

performance and higher avalanche energy strength. This

device family is suitable for high efficiency switch mode

power supplies.

Application

l LED power supplies

l Cell Phone Charger

l Standby Power

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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