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G120P06M中文資料谷峰半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G120P06M
廠商型號

G120P06M

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

G120P06

封裝外殼

TO-263

文件大小

599.26 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導體

中文名稱

谷峰半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-20 13:28:00

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G120P06M規(guī)格書詳情

Description

The G120P06M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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