G130N06M中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
G130N06M |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-263 |
文件大小 |
969.35 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GOFORD SEMICONDUCTOR |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
GOFORD【谷峰半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-19 15:00:00 |
人工找貨 | G130N06M價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
G130N06M規(guī)格書詳情
Description
The G130N06M uses advanced trench technology to
provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in
a wide variety of applications.
Application
l Power switch
l DC/DC converters
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
SMD |
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