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G170P06S中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G170P06S
廠商型號

G170P06S

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

1.0138 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-2-20 22:59:00

G170P06S規(guī)格書詳情

Description

The G170P06S uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
EMNIFYGMBH
23+
NA/
12250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價(jià)
EMNIFYGMBH
24+
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880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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13+
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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