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G230P06S中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G230P06S
廠商型號(hào)

G230P06S

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

G230P06

封裝外殼

SOP-8

文件大小

953.81 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-18 10:16:00

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G230P06S規(guī)格書詳情

Description

The G230P06S uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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