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G2K2P10D3E中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G2K2P10D3E
廠商型號

G2K2P10D3E

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

G2K2P10

封裝外殼

DFN3X3-8L

文件大小

648.9 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-10 17:19:00

G2K2P10D3E規(guī)格書詳情

Description

The G2K2P10D3E uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

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