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G2K3N10L6

Marking：G2K3N10；Package：SOT-23-6-Dual；Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG2K3N10L6usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

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更多G2K3N10L6供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 14:22:00

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