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G3R350MT12J

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·RDS(ON)=420mΩ(Max)@VGS=20V ·HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance ·EasytoParallelandSimpletoDrive APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupplies ·RenewableEnergy ·DC-DCConverters ·Motordrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

G3R350MT12J

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

G3R350MT12D

SiliconCarbideMOSFETN-ChannelEnhancementMode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
GeneSiC Semiconductor
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30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83271712鄒小姐
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原包裝原標現(xiàn)貨,假一罰十,
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原廠全新正品供應(yīng)商
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更多G3R350MT12J供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 23:00:00