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G58N06K中文資料谷峰半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

G58N06K
廠商型號

G58N06K

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

G58N06

封裝外殼

TO-252

文件大小

676.99 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 GOFORD SEMICONDUCTOR
企業(yè)簡稱

GOFORD谷峰半導(dǎo)體

中文名稱

谷峰半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-1 23:00:00

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G58N06K規(guī)格書詳情

Description

The G58N06K uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used

in a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
GMT/致新
24+
NA/
1800
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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GMT
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SOT23-6
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
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1800
原裝正品,假一罰十!
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23+
模塊
3562
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JRC
21+
LGA
607
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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10000
原裝正品支持實(shí)單
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GMT/致新
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QFN
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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GMT
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TQFN3*3-16
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只做原裝進(jìn)口,假一罰十
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SOT23-6
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只有原裝原裝,支持BOM配單
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