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GA10JT12-247分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

GA10JT12-247
廠商型號(hào)

GA10JT12-247

參數(shù)屬性

GA10JT12-247 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

功能描述

Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor
TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

1.02563 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 GeneSiC Semiconductor, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

GENESIC

中文名稱

GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-4 16:35:00

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GA10JT12-247規(guī)格書詳情

GA10JT12-247屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由GeneSiC Semiconductor, Inc.制造生產(chǎn)的GA10JT12-247晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GA10JT12-247

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 技術(shù):

    SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    10A(Tc)

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):

    140 毫歐 @ 10A

  • 功率耗散(最大值):

    170W(Tc)

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247AB

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 描述:

    TRANS SJT 1200V 10A TO247AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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