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GA50JT17-247分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

GA50JT17-247
廠商型號

GA50JT17-247
參數(shù)屬性

GA50JT17-247 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個；產(chǎn)品描述：TRANS SJT 1700V 100A TO247
功能描述

Normally ??OFF Silicon Carbide Junction Transistor
TRANS SJT 1700V 100A TO247
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

2.02664 Mbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 GeneSiC Semiconductor, Inc.
企業(yè)簡稱

GENESIC

中文名稱

GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-28 18:19:00
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GA50JT17-247規(guī)格書詳情

GA50JT17-247屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由GeneSiC Semiconductor, Inc.制造生產(chǎn)的GA50JT17-247晶體管 - FET，MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用，它們具有高頻開關特性，同時又能承載大電流，使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    GA50JT17-247

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    管件

  • 技術：

    SiC（碳化硅結晶體管）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    100A（Tc）

  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：

    25 毫歐 @ 50A

  • 功率耗散（最大值）：

    583W（Tc）

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應商器件封裝：

    TO-247

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 描述：

    TRANS SJT 1700V 100A TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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