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GAL16V8D-10LR	文件：293.59 Kbytes Page：8 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features ?HIGHPERFORMANCEE2CMOS?TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS? AdvancedCMOSTechnology ?50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLD	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features ?HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-10LS	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
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GAL16V8D-10QJ	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features ?HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：395.51 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-10QJ	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
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GAL16V8D-10QJ	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-10QJN	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features ?HIGHPERFORMANCEE2CMOS?TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS? AdvancedCMOSTechnology ?50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
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GAL16V8D-10QP	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
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深圳市永貝爾科技有限公司	GAL16V8D-10LR/833	LATTICE	23+	NA	25060	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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更多GAL16V8D-10LR供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-17 16:57:00

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