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GAL16V8D-7LPI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	All Devices Discontinued Features ?HIGHPERFORMANCEE2CMOS?TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS? AdvancedCMOSTechnology ?50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LPI	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features ?HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
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GAL16V8D-7LPI	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD Generic Array Logic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LPI	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	High Performance E2CMOS PLD	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LPN	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features ?HIGHPERFORMANCEE2CMOS?TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS? AdvancedCMOSTechnology ?50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LPN	文件：340.72 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLD	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LPN	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LPNI	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features ?HIGHPERFORMANCEE2CMOS?TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS? AdvancedCMOSTechnology ?50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LPNI	文件：654.14 Kbytes Page：24 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LR	文件：293.59 Kbytes Page：8 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LS	文件：767.57 Kbytes Page：26 Pages	AllDevicesDiscontinued Features ?HIGHPERFORMANCEE2CMOS?TECHNOLOGY —3.5nsMaximumPropagationDelay —Fmax=250MHz —3.0nsMaximumfromClockInputtoDataOutput —UltraMOS? AdvancedCMOSTechnology ?50to75REDUCTIONINPOWERFROMBIPOLAR —75mATypIcconLowPowerDevice —45mATypIccon	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
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GAL16V8D-7LS	文件：339.82 Kbytes Page：23 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic?	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice
GAL16V8D-7LS	文件：316 Kbytes Page：22 Pages	HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic Description TheGAL16V8,at3.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovidethehighestspeedperformanceavailableinthePLDmarket.Highspeederasetimes( Features ?HIGHPERFORMANCE	LatticeLattice Semiconductor 萊迪思萊迪思半導(dǎo)體公司	Lattice

詳細(xì)參數(shù)

型號：
GAL16V8D-7LPI
功能描述：
SPLD - 簡單可編程邏輯器件 16 INPUT 8 OUTPUT 5V LOW POWER 7.5ns
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
邏輯系列：
TICPAL22V10Z
大電池?cái)?shù)量：
10
最大工作頻率：
66 MHz
延遲時(shí)間：
25 ns
工作電源電壓：
4.75 V to 5.25 V
電源電流：
100 uA
最大工作溫度：
+ 75 C
最小工作溫度：
0 C
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
DIP-24

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