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GAN041-650WSB

650V,35mΩGalliumNitride(GaN)FETinaTO-247package

1.Generaldescription TheGAN041-650WSBisa650V,35mΩGalliumNitride(GaN)FETinaTO-247package.Itisa normally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMTH2technologyand low-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance.

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更多GAN041-650WSBQ供應(yīng)商 更新時間2025-2-10 16:31:00

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