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GAN063-650WSA中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

GAN063-650WSA
廠商型號(hào)

GAN063-650WSA

功能描述

650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET

文件大小

287.03 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 10:08:00

GAN063-650WSA規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device that

combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET

technologies — offering superior reliability and performance.

2. Features and benefits

? Ultra-low reverse recovery charge

? Simple gate drive (0 V to +10 V or 12 V)

? Robust gate oxide (±20 V capability)

? High gate threshold voltage (+4 V) for very good gate bounce immunity

? Very low source-drain voltage in reverse conduction mode

? Transient over-voltage capability (800 V)

3. Applications

? Hard and soft switching converters for industrial and datacom power

? Bridgeless totempole PFC

? PV and UPS inverters

? Servo motor drives

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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