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GAN111-650WSB

Marking：GAN111；Package：TO-247-3L；650 V, 97 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package

1.Generaldescription TheGAN111-650WSBisa650V,97mΩGalliumNitride(GaN)FETinaTO-247package.Itisa normally-offdevicethatcombinesNexperia’slatesthigh-voltageGaNHEMTH2technologyand low-voltagesiliconMOSFETtechnologies—offeringsuperiorreliabilityandperformance.

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更多GAN111-650WSB供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-2 9:30:00

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