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GAN190-650FBE

650 V, 190 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 5 mm x 6 mm package

1.Generaldescription TheGAN190-650FBEisageneralpurpose650V,190mΩGalliumNitride(GaN)FETina DFN5mmx6mmsurfacemountpackage.Itisanormally-offe-modedeviceofferingsuperior performance. 2.Featuresandbenefits ?Enhancementmode-normally-offpowerswitch ?Ultra

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

GAN190-650EBE

650V,190mOhmGalliumNitride(GaN)FETinaDFN8mmx8mmpackage

1.Generaldescription TheGAN140-650EBEisageneralpurpose650V,190mΩGalliumNitride(GaN)FETina DFN8mmx8mmsurfacemountpackage.Itisanormally-offe-modedeviceofferingsuperior performance. 2.Featuresandbenefits ?Enhancementmode-normally-offpowerswitch ?Ultra

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多GAN190-650FBE供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-12 9:30:00

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