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GANE3R9-150QBA

Marking：3R9EQBA；Package：VQFN7；150 V, 3.9 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN)

1.Generaldescription TheGANE3R9-150QBAisaageneralpurpose150V,3.9mΩGalliumNitride(GaN)FETina Very-Thin-ProfileQuadFlatNo-LeadPackage(VQFN)package.Itisanormally-offe-modedevice offeringsuperiorperformanceandverylowon-stateresistance. 2.Featuresandbenefit

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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更多GANE3R9-150QBA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 10:08:00

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